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  MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为金属-氧化物-半导体,描述集成电路中结构,即:在定结构半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。MOS管source和drain可以对调,都在P型backgate中形成N型区。

  MOS管工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它利用VGS来控制“感应电荷”多少,以改变由这些“感应电荷”形成导电沟道状况,然后达到控制漏极电流目。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面另侧能感应出较多负电荷,这些负电荷把高渗杂质N区接通,形成导电沟道,即使在VGS=时也有较大漏极电流ID”栅极电压改变时,沟道内被感应电荷量也改变,导电沟道宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压变化而变化。

  优质MOS管可以接受电流峰值更高。普通状况下我们要判别主板上MOS管质量上下,能够看它能接受最大电流值。影响MOS管质量上下参数十分多,像极端电流、极端电压等~在MOS管上无法标注这么多参数,所以在MOS管外表普通只标注产品型号,我们能够依据该型号上网查找详细性能参数。还要阐明,温度也MOS管个十分重要性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率进步,MOS管需求接受电流也随着加强,提供近百A电流曾经很常见。如此宏大电流经过时产生热量当然使MOS管“发烧”。为MOS管平安,高质量主板也开端为MOS管加装散热片。

  G极,不用说比较好认。

  S极,不论p沟道还N沟道,两根线相交就;

  D极,不论p沟道还N沟道,单独引线那边。

  判定栅极G:将万用表拨至R&mes;k档,用万用表负极任意接电极,另只表笔依次去接触其余两个极,测其电阻。若两次测得电阻值近似相等,则负表笔所接触为栅极,另外两电极为漏极和源极。漏极和源极互换,若两次测出电阻都很大,则为N沟道;若两次测得阻值都很小,则为P沟道。

  判定源极S、漏极D:在源-漏之间有个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(般为几千欧至十几千欧)次为正向电阻,此时黑表笔S极,红表笔接D极。

  、用K档,内有伏电池。可提供导通电压。

  、因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则坏管。

  、利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能敝,上述两步可分先后,不必同步,方便~要放电时需短路管脚或反充。

  、大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断。

  、大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源。以上前三点必需掌握,后两点灵活运用,很快就能判管脚,分好坏。

  如果对新拿到不明MOS管,可以通过测定来判断脚极,只有准确判定脚排列,才能正确使用。

  ①栅极G测定:用万用表R&mes;档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百ω),该两脚D、S,第三脚为G。

  ②漏极D、源极S及类型判定:用万用表R&mes;kω档测D、S问正反向电阻,正向电阻约为.&mes;kω,反向电阻(∞)Xkω。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与G碰下,然后回去再接原引脚,出现两种情况:

  a.若读数由原来较大值变为(×kω),则红表笔所接为S,黑表笔为D。用黑表笔接触G有效,使MOS管D、S间正反向电阻值均为ω,还可证明该管为N沟道。

  b.若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触G,碰下之后立即回到原脚,此时若读数为ω,则黑表笔接S极、红表笔为D极,用红表笔接触G极有效,该MOS管为P沟道。

  .电路设计问题,就让MOS管工作在线性工作状态,而不在开关电路状态。这也导致MOS管发热个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这设计电路最忌讳错误。

  .频率太高,主要有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上损耗增大,所以发热也加大。

  .没有做好足够散热设计,电流太高,MOS管标称电流值,般需要良好散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够辅助散热片。

  .MOS管选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。

  MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。且场效应管很高输入阻壳常适合作阻抗变换。用于多级放大器输入级作阻抗变换 效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。

  有些场效应管源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好 效应管能在很小电流和很低电压条件下工作,而且它制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到广泛应用。

  在般电子电路中,通郴用于放大电路或开关电路▲在主板上电源稳压电路中,MOSFET扮演角色主要判断电位,它在主板上常用“Q”加数字表示。




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